FinFET Bitti, RibbonFET Geldi: Intel 18A Sahneye Çıkıyor

Intel, Intel 3 işlem düğümünün yerini alacak olan yeni nesil 18A işlem düğümüne dair teknik detayları paylaştı. Şirket, 2025 VLSI Teknoloji ve Devreler Sempozyumu'nda yeni sürecin özelliklerini açıkladı. 18A işlem düğümü, masaüstü tarafında “Panther Lake” işlemcilerde; sunucu tarafında ise E-Core tabanlı Clearwater Forest Xeon serisinde kullanılacak.

Yeni nesil 18A sürecinin temel yapı taşları arasında RibbonFET (GAA) ve PowerVia teknolojileri yer alıyor. Bu iki unsur, Intel’in gelecekteki işlem teknolojilerine geçişinde temel rol oynuyor.

RibbonFET Teknolojisi

Intel, 18A ile birlikte FinFET teknolojisinden RibbonFET mimarisine önemli bir geçiş yapıyor. RibbonFET, kapı elektrostatik kontrolünü iyileştiriyor, ayak izi başına daha yüksek etkili genişlik ve daha düşük parazitik kapasitans sağlıyor. Ayrıca, tasarım esnekliğini FinFET'e göre artırıyor.

RibbonFET sayesinde:

• 180H ve 160H kütüphaneleri için çoklu şerit genişlikleri kullanılabiliyor.
  
  
• DTCO (Design Technology Co-Optimization) ile mantık gücü/sızıntı–performans dengesi optimize ediliyor.
  
  
• SRAM için özel olarak tasarlanan Ribbon genişlikleriyle bit hücre performansı artırılıyor.
  
  

Tüm geliştirmeler, 18A üzerinde üretilen yongaların performansını ve tasarım kapasitesini doğrudan artırıyor.

PowerVia Teknolojisi

Intel’in 18A ile sunduğu bir diğer yenilik ise PowerVia, yani güç iletiminde arka yüz kablolama sistemi. Bu sistemle birlikte, güç sinyalleri ön yüz yerine yonganın arka tarafından iletiliyor. Güç ve sinyal yollarının ayrılması sayesinde:

• Mantık yoğunluğu artıyor,
  
  
• Standart hücre kullanımı iyileşiyor,
  
  
• RC gecikmeleri azalıyor,
  
  
• Voltaj düşüşü (droop) düşüyor,
  
  
• Tasarım esnekliği genişliyor.
  
  

Performans ve Güç Tüketimi

Intel, 1.1V sabit voltajda 18A’nın, Intel 3’e kıyasla %25 daha yüksek frekans sunduğunu belirtiyor. Ayrıca, 0.65V altındaki düşük voltaj operasyonlarında %38’e kadar güç tasarrufu sağlanabiliyor. Şirket, bu performans artışının altında şu etkenlerin yattığını ifade ediyor:

• RibbonFET transistör mimarisi,
  
  
• Arka yüz güç avantajı (PowerVia),
  
  
• Ön yüz bağlantı iyileştirmeleri,
  
  
• Süreç ve tasarım eş optimizasyonu (P/D co-optimization).

‍

‍

Yoğunluk ve Hücre Verimliliği

Yoğunluk artışında da önemli bir ilerleme kaydedildi. Intel 18A, Intel 3’e kıyasla:

• Ortalama %30 ila %39 yoğunluk artışı sunuyor,
  
  
• PowerVia sayesinde hücre kullanımında %8-10 iyileşme sağlanıyor,
  
  
• En kötü durum senaryolarında IR droop 10 kata kadar azaltılıyor.
  
  

Kütüphane boyutları açısından:

• HP kütüphane yüksekliği: 180nm (Intel 3’te 240nm),
  
  
• HD kütüphane yüksekliği: 160nm (Intel 3’te 210nm),
  
  
• M0/M2 hat aralığı: 32/32nm (Intel 3’te 30/42nm).
  
  

SRAM Verimliliği

Intel 18A, SRAM yoğunluğunda da gelişme sağlıyor.

• HCC SRAM yoğunluğu, Intel 3’e kıyasla %30 iyileşme gösteriyor.
  
  
• HCC hücre boyutu: 0.0230μm²,
  
  
• HDC hücre boyutu: 0.0210μm².
  ‍

‍

Gelecek Genişlemeler ve Planlar

Intel, 18A işlem düğümünü sadece sabit bir yapı olarak bırakmıyor. 2026-2028 yılları arasında piyasaya sürülmesi planlanan 18A-P ve 18A-PT varyantları ile bu süreci geliştirmeye devam edecek. Şirket, müşterilerinin bu yeni nesil süreçleri çip üretiminde aktif olarak kullanmasını bekliyor.

‍

‍

‍

Kaynak:https://wccftech.com/intel-18a-process-node-25-percent-higher-frequency-36-percent-lower-power-vs-intel-3/